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フル装備ポートフォリオ

プロセス段階別結晶成長・ウェーハ製造装置

Vimfunは、単結晶インゴット成長から鏡面研磨ウェーハまで、半導体ウェーハ製造に必要な全設備チェーンを製造しています。当社のカタログには、結晶成長炉（CCz / キロポウロス法）、高スループットウェーハスライス用マルチワイヤダイヤモンドソー、サブミクロン平面度を実現する両面ラッピング・研磨機、および消耗品一式（ダイヤモンドワイヤループ）が含まれています。.

12インチ Si結晶引上装置

技術: 連続CZ (CCz) / H-MCZ
最大直径: 300 mm / 12 インチ
チェンバーID: Φ1400 mm
直径制御: ±0.05 mm

2ステーション研磨機

2ステーション
加工物長さ: 10–70 mm
加工物幅: 10-90 mm
15個/分

4 Axis Multi Wire Saw SOM4-630D

Four-roller dual-station tangential cutting for silicon ingot squaring and hard, brittle materials. 630 × 160 × 150 mm capacity per position.

4軸シングルダイヤモンドワイヤーソー

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

アークマグネット研削盤

4ステーション
加工物長さ: 10–70 mm
加工物幅: 10-90 mm
15個/分

CNC 単線ソー

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

コンターカットワイヤーソー

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

両面研磨

最大加工ワーク径 (mm): Φ480
最大加工力: 9000 N
プレート平面度: ≤0.02 mm
総出力: 36 kW

デュアルプレートマルチワイヤーソー SOM400

大型断面の硬質脆性ブロック用デュアルワークプレート切断装置。400 × 400 × 830 mm チャージ配置；1～35 mm スライス範囲。.

フルコート・エンドレスワイヤー

ワイヤー直径 (mm)：0.3 - 3.5
ワイヤーの長さ (mm)：700 - 10000

インバーテッドマルチワイヤーソー SOMI-430

シリコン、サファイア、セラミックス用二軸インバーテッド切断。430 × 160 × 150 mm ワークピース；0.3～3 mm スライス範囲。.

ラッピングマシン

最大加工ワーク径 (mm): Φ390
ベアリング: P5 クロスローラ
プレート平面度: ≤0.015 mm
厚み精度: ±2 μm (オプション)