半導体ウェーハ製造用総合設備カタログ

フル装備ポートフォリオ

結晶成長・切断・ラッピング・研磨 — 4つのプロセスステージ、1つのサプライヤー

Vimfunは、単結晶インゴット成長から鏡面研磨ウェーハまで、半導体ウェーハ製造に必要な全設備チェーンを製造しています。当社のカタログには、結晶成長炉（CCz / キロポウロス法）、高スループットウェーハスライス用マルチワイヤダイヤモンドソー、サブミクロン平面度を実現する両面ラッピング・研磨機、および消耗品一式（ダイヤモンドワイヤループ）が含まれています。.

12インチ Si結晶引上装置

技術: 連続CZ (CCz) / H-MCZ
最大直径: 300 mm / 12 インチ
チェンバーID: Φ1400 mm
直径制御: ±0.05 mm

2ステーション研磨機

2ステーション
加工物長さ: 10–70 mm
加工物幅: 10-90 mm
15個/分

4軸シングルダイヤモンドワイヤーソー

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

アークマグネット研削盤

4ステーション
加工物長さ: 10–70 mm
加工物幅: 10-90 mm
15個/分

CNC 単線ソー

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

最大ワーク長(mm)：200
最大ワーク幅 (mm)：200
最大ワークピース高さ (mm)：200
切断工具：エンドレスワイヤ

ダイヤモンドマルチワイヤーソー

最大ワークピース長 (mm): 630*160*150
2つの作業ステーション
スライシング厚 (mm): 1.5-20mm
より高速なカット速度

両面研磨

最大加工ワーク径 (mm): Φ480
最大加工力: 9000 N
プレート平面度: ≤0.02 mm
総出力: 36 kW

フルコート・エンドレスワイヤー

ワイヤー直径 (mm)：0.3 - 3.5
ワイヤーの長さ (mm)：700 - 10000

ラッピングマシン

最大加工ワーク径 (mm): Φ390
ベアリング: P5 クロスローラ
プレート平面度: ≤0.015 mm
厚み精度: ±2 μm (オプション)

マルチワイヤーソー

最大加工長 (mm): 1000*200*150
2つのローディングステーション
スライシング厚 (mm): 1.5-25mm
巨大な生産量

研磨機

最大加工ワーク径 (mm): Φ210
キャリア: 6個
プレート平面度: ≤0.015 mm
圧力制御: ±10 N