製品紹介

12インチMCZ結晶引上装置
  • 技術: 連続CZ (CCz) / H-MCZ
  • 最大直径: 300 mm / 12 インチ
  • チェンバーID: Φ1400 mm
  • 直径制御: ±0.05 mm
Continuous Czochralski Crystal Puller
  • 方法: 連続チョクラルスキー法 (CCz) / H-MCZ
  • 最大容量: 1000kg (カスタマイズ可能)
  • 最大直径: 300 mm / 12 インチ
  • 精度: ±0.05 mm 直径制御
  • 均一性: < 6.0% 抵抗率 (RRG)
Kyropoulos Sapphire Crystal Growth Furnace
  • 方法: 連続チョクラルスキー法 (CCz) / H-MCZ
  • 最大容量: 1000kg (カスタマイズ可能)
  • 最大直径: 300 mm / 12 インチ
  • 精度: ±0.05 mm 直径制御
  • 均一性: < 6.0% 抵抗率 (RRG)
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