Catégorie : Crystal Growth Furnace
PORTEFEUILLE COMPLET D'ÉQUIPEMENTS
Équipement de croissance cristalline et de fabrication de plaquettes par étape de processus
Équipement de four de croissance cristalline pour la fabrication de semi-conducteurs, y compris les tireurs de cristaux de silicium, les systèmes de four MCZ et les fours de croissance de cristaux de saphir. Cette catégorie relie la phase de croissance aux équipements en aval de coupe de lingots, de découpe de plaquettes, de rodage et de polissage.
- Technologie : Continuous CZ (CCz) / H-MCZ
- Max Diameter: 300 mm / 12 inch
- Chamber ID: Φ1400 mm
- Contrôle du diamètre : ±0,05 mm
- Method: Czochralski continu (CCz) / H-MCZ
- Max Capacity: 1000kg (Personnalisable)
- Max Diameter: 300 mm / 12 inch
- Uniformity: < 6.0% Resistivity (RRG)
- Method: Czochralski continu (CCz) / H-MCZ
- Max Capacity: 1000kg (Personnalisable)
- Max Diameter: 300 mm / 12 inch
- Uniformity: < 6.0% Resistivity (RRG)