Kontinuierlicher Czochralski-Kristallzieher | CCz-1600 — Vimfun
Kristallzüchtung / CCz-Serie / Kontinuierliches Laden

CCz-1600

Kontinuierlicher Czochralski-Kristallzieher für Halbleiter-Silizium

Der CCz-1600 ist ein kontinuierlicher Czochralski-Kristallzieher mit kontinuierlicher Beschickung für die Produktion von Halbleiter-Silizium-Ingots. Die automatisierte kontinuierliche Beschickung und die geschlossene Regelung der Feststoffdotierung ermöglichen längere Kristallwachstumszyklen, eine präzisere Kontrolle des spezifischen Widerstands und niedrigere Kosten pro Kilogramm – ohne Vergrößerung des Ofens.

Kontinuierliches Laden Feststoffdotierung ±0,01g Φ1400mm Kammer 1000kg Einsatz RCZ + CCz Kompatibel Bis zu 10 Zoll
1000kg
Einsatzkapazität
±0,01g
Dotierpräzision
2–3×
Höherer Dotierkoeffizient
FIG. 01 / CCz-1600
REV. A · 2026
KONTINUIERLICHER CZ-ZIEHER
VIMFUN /SEM
CCz-1600 kontinuierlicher Chargier-Czochralski-Kristallzieher für Halbleiter-Silizium
[ 01 ] KAMMER
Φ1400 mm
Innendurchmesser der Hauptkammer
[ 02 ] ZUFÜHRER
1200 kg
Kapazität des externen Seiten zuführers
[ 03 ] ZUFÜHRGESCHWINDIGKEIT
20–600
g/min, linear einstellbar
[ 04 ] LEISTUNG
150 kW
Spitzenleistung des DC-Heizers
[ 02 ] / PRODUKT MERKMALE
Kernvorteile

Vier Gründe für die Wahl kontinuierlicher Beschickung.

Alle unten aufgeführten Vorteile sind produktionserprobt auf der CCz-1600-Plattform – gestützt durch interne Prozessvalidierungsdaten.

01 / ZUFÜHRUNG

Automatisierte kontinuierliche Beschickung

Automatisiertes kontinuierliches Zuführsystem mit linear einstellbarer Zuführrate. Schwankungen der Zuführrate in Echtzeit werden unter ±10 g/min gehalten – stabil genug, um ein konsistentes Schmelzvolumen und thermische Bedingungen während des gesamten Kristallwachstumslaufs aufrechtzuerhalten.

02 / DOTIERUNG

Hoher effektiver Dotierkoeffizient

Automatisiertes kontinuierliches Feststoffdotiersystem mit Closed-Loop-Regelung. Das Dotierstoff wird dynamisch proportional zur Siliziumcharge zugeführt. Der effektive Dotierkoeffizient ist 2–3× höher als bei der Gasphasendotierung – das bedeutet weniger Dotierstoffabfall und eine stärkere Widerstandskontrolle.

03 / WIDERSTAND

Präzise Widerstandskontrolle

Ermöglicht eine enge Widerstandsverteilung über die gesamte Kristallänge. Sowohl die radiale als auch die axiale Widerstandseinheitlichkeit werden durch Aufrechterhaltung einer stabilen Dotierstoffkonzentration durch kontinuierliche proportionale Zuführung aufrechterhalten – nicht nur am Keimende.

04 / WIRTSCHAFTLICHKEIT

Höherer Durchsatz, gleicher Ofen

Der Durchsatz steigt, ohne die Tiegelgröße, den Ofenkörper oder die Abmessungen der Heizzone zu vergrößern. Die kontinuierliche Zuführung verlängert den Kristalllauf aus derselben Kammer – höhere Produktionseffizienz und geringere Kosten pro Kilogramm produzierten Kristalls.

[ 03 ] / ERPROBTE ERGEBNISSE
Interne Prozessentwicklung

Validierte Rezepte.
Reale Produktionsdaten.

Der CCz-1600 wird mit intern entwickelten und validierten Kristallzüchtungsrezepten geliefert. Diese Ergebnisse stammen aus unseren eigenen Kristallzügen – nicht aus Simulationen.

🔵

10″ Ga-dotierter P-Typ-Kristall

GALLIUM · P-TYP · 10-ZOLL

Vollständige axiale Widerstandsregelung bei einem 10-Zoll-Gallium-dotierten P-Typ-Barren. Kontinuierliche Dotierung sorgt für eine enge Gleichmäßigkeit von Kopf bis Fuß.

Axialer Widerstand: 0,6 – 0,7 Ω·cm (volle Länge)
Radialer RRG: < 6,0%
🔴

8″ P-dotierter N-Typ Ultra-Low-Ω

PHOSPHOR · N-TYP · ULTRA-LOW Ω

Ultra-niedriger Widerstand, 8-Zoll-Phosphor-dotierter N-Typ-Kristall – das Regime, in dem die Gasphasendotierung nicht mithalten kann.

Kopfwiderstand: < 0,001 Ω·cm
Radialer RRG: < 6%
[ 04 ] / TECHNISCHE DATEN
Datenblatt

Technische Spezifikationen

DOC   CCz-1600-DS-A REV   A DATUM   2026.05
● AKTIV
#ParameterSpezifikation
01Gesamtmaße (L × B × H)2000 × 2300 × 10800 mm
02Einsatzkapazität1000 kg (anpassbar)
03Doping-SystemHochpräzise kontinuierliche Online-Feststoffdotierung, Regelgenauigkeit ±0,01 g
04Innendurchmesser der HauptkammerΦ1400 mm
05Innendurchmesser der ZiehkammerΦ350 mm
06Heißzonenkompatibilität24–34″ RCZ + 32–34″ CCz; Kristalle bis zu 10″ Durchmesser
07HeizmethodeWiderstandsheizung, DC-Netzteil, Pmax = 150:50 kW
08BeschickungsmethodeSeitenmontierter kontinuierlicher externer Feeder (1200 kg) + dynamische Online-Siliziumnachspeisung + Vorbeladung in der Tiegel
09Bereich der Beschickungsrate20 – 600 g/min, linear einstellbar
10Regelgenauigkeit der Beschickungsrate≤ 500 g/h
11Echtzeit-Beschickungsratenschwankung< ±10 g/min
Vollständiges Spezifikationsblatt – einschließlich thermischer Profile, Anforderungen an die Anlagenversorgung und Maschinenzeichnungen – ist nach einem technischen Qualifizierungsgespräch verfügbar. Senden Sie unten eine Angebotsanfrage, um dieses Gespräch zu beginnen.
[ 05 ] / WARUM CCz-1600
Geschäftsanalyse

Die Ökonomie von kontinuierlicher Beschickung.

Kontinuierliches Laden verändert nicht nur die Art und Weise, wie Sie Kristalle züchten – es verändert die Produktionsökonomie. Hier erfahren Sie, was das für Ihren Betrieb bedeutet.

📈

Mehr Kristall, gleiche Stellfläche

Verlängern Sie die Kristallwachstumslänge in der gleichen Φ1400mm Kammer. Keine Notwendigkeit, in einen größeren Ofen, eine größere Heizzone oder einen verstärkten Boden zu investieren – der Durchsatz skaliert durch die Laufzeit, nicht durch die Gerätegröße.

💰

Geringere Kosten pro Kilogramm

Eliminieren Sie den Abkühl-, Nachlade- und Wiederaufheizzyklus zwischen den Zügen. Kontinuierlicher Betrieb bedeutet mehr produktive Ofenstunden pro Monat, was die Kosten pro Kilogramm des produzierten Kristalls direkt reduziert.

🎯

Engere Spezifikation, höhere Ausbeute

Kontinuierliches Dotieren erhält die Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands über den gesamten Barren – nicht nur den ersten Abschnitt. Mehr nutzbarer Kristall pro Lauf bedeutet weniger Ausschusswafer und eine höhere Ausbeute nachgelagerter Prozesse.

🔄

RCZ + CCz Dual-Modus

Derselbe Ofen betreibt sowohl konventionelles nachgeladenes CZ als auch kontinuierliches Laden. Beginnen Sie mit RCZ-Rezepten, die Sie bereits kennen, und wechseln Sie dann in Ihrem eigenen Tempo in den kontinuierlichen Modus.

🧪

Bewährte Rezepte inklusive

Wird mit validierten Kristallwachstumsrezepten für Ga-dotierte P-Typ- und P-dotierte N-Typ-Kristalle geliefert – einschließlich Spezifikationen für ultra-niedrigen spezifischen Widerstand. Beginnen Sie mit einem bekannten, guten Prozess.

🤝

Vollständige Servicebereitstellung

Standortbegehung, Installation, Inbetriebnahme, Qualifizierung des ersten Kristalls und langfristige Verbrauchsmaterialversorgung – alles aus einer Hand. Wir bleiben, bis der Ofen spezifikationsgerecht produziert.

[ 06 ] / FAQ
Häufig gestellte

Häufig gestellte Fragen zum CCz-1600.

Bis zu 10 Zoll. Die Kammer unterstützt Heizzonen von 24″ bis 34″ im RCZ-Modus und 32″ bis 34″ im CCz-Modus und deckt damit die gängigsten Produktionsdurchmesser für Leistungshalbleiter, Analog-ICs und Spezial-Silizium ab.
Die Feststoffdotierung liefert Dotierstoffe direkt in die Schmelze mit einem 2-3x höheren effektiven Dotierungskoeffizienten im Vergleich zu Gasphasenmethoden. Für Spezifikationen mit extrem niedrigem spezifischem Widerstand (unter 0,001 Ω·cm) oder sehr enge Verteilungen des spezifischen Widerstands ist die Feststoffdotierung der praktikable Weg – die Gasdotierung kann diese Werte bei langem Kristallziehen nicht aufrechterhalten.
Ja. Die Kammer ist mit Heizzonen für RCZ (24–34″) und CCz (32–34″) kompatibel. Sie können herkömmliche nachgeladene CZ-Züge durchführen, wenn dies für Ihr Produkt geeignet ist, und dann auf den kontinuierlichen Beschickungsmodus umstellen, wenn Ihr Prozess bereit ist. Beide Modi nutzen dieselbe Ofenplattform.
Ja. Die Standard-Chargenkapazität beträgt 1000 kg, kann aber je nach Ihren Produktionsanforderungen angepasst werden. Kontaktieren Sie uns mit Ihren Zielspezifikationen und wir besprechen die Optionen.
Wir beginnen mit einer Standortbegehung vor der Lieferung, um die Anforderungen an die Anlage zu bestätigen – Fundament, Versorgungseinrichtungen und Layout. Nach der Lieferung übernimmt unser Team vor Ort die Installation, Inbetriebnahme und Qualifizierung des ersten Kristalls. Wir bleiben, bis der Ofen Kristalle produziert, die Ihren Zielspezifikationen entsprechen.
[ 07 ] / DOWNSTREAM LINE
[ 08 ] / KONTAKTIEREN SIE UNS

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