Warum unseren Kristallzüchtungsofen wählen?
200–300 mm
Waferdurchmesser
2.0 mm/min
Maximale Ziehgeschwindigkeit
250 h+
Tiegel-Lebensdauer
~50%
Energieeinsparung
Wählen Sie Ihre Kristallzüchtungslösung
Skalierbare Ofenplattformen, die für alles von F&E-Laboren bis zur Tier-1-Massenfertigung entwickelt wurden.
- Methode: Kontinuierliches Czochralski (CCz) / H-MCZ
- Max. Kapazität: 1000kg (Anpassbar)
- Max. Durchmesser: 300 mm / 12 Zoll
- Gleichmäßigkeit: < 6,0% Widerstand (RRG)
- Methode: Kontinuierliches Czochralski (CCz) / H-MCZ
- Max. Kapazität: 1000kg (Anpassbar)
- Max. Durchmesser: 300 mm / 12 Zoll
- Gleichmäßigkeit: < 6,0% Widerstand (RRG)
- Technologie: Kontinuierliches CZ (CCz) / H-MCZ
- Max. Durchmesser: 300 mm / 12 Zoll
- Kammer-ID: Φ1400 mm
- Durchmesserregelung: ±0,05 mm
Materials We Grow
Our CZ furnace platform supports a wide range of semiconductor materials
Silicon (Si)
Semiconductor-grade CZ silicon for IC wafers, power devices & solar cells.
Germanium (Ge)
High-purity germanium for infrared optics, radiation detectors & fiber optics.
Gallium Arsenide
Compound semiconductor for 5G RF, LED & photovoltaic applications.
Siliziumkarbid (SiC)
Wide-bandgap material for EV power electronics & high-temp devices.
Bereit, Ihre Kristallproduktion zu skalieren?
Unser Ingenieurteam verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung im Halbleiterkristallwachstum.
Erhalten Sie eine maßgeschneiderte Ofenempfehlung basierend auf Ihrem Material, Produktionsvolumen und Ihren Qualitätszielen. Kostenlose Beratung inklusive.
20+
Jahre Erfahrung
500+
Installierte Öfen
24/7
Technische Unterstützung
99.5%
Kundenzufriedenheit