¿Por qué elegir nuestro horno de crecimiento de cristales?
200–300 mm
Diámetro de la oblea
2.0 mm/min
Velocidad máxima de extracción
250 h+
Vida útil del crisol
~50%
Ahorro de energía
Seleccione su solución de crecimiento de cristales
Plataformas de hornos escalables construidas para todo, desde laboratorios de I+D hasta fabricación de alto volumen de Nivel 1.
- Método: Czochralski Continuo (CCz) / H-MCZ
- Capacidad Máxima: 1000kg (Personalizable)
- Diámetro Máximo: 300 mm / 12 pulgadas
- Uniformidad: < 6.0% Resistividad (RRG)
- Método: Czochralski Continuo (CCz) / H-MCZ
- Capacidad Máxima: 1000kg (Personalizable)
- Diámetro Máximo: 300 mm / 12 pulgadas
- Uniformidad: < 6.0% Resistividad (RRG)
- Tecnología: CZ Continuo (CCz) / H-MCZ
- Diámetro Máximo: 300 mm / 12 pulgadas
- ID de Cámara: Φ1400 mm
- Control de Diámetro: ±0.05 mm
Materiales Que Cultivamos
Nuestra plataforma de hornos CZ soporta una amplia gama de materiales semiconductores
Silicio (Si)
Silicio CZ de grado semiconductor para obleas de IC, dispositivos de potencia y células solares.
Germanio (Ge)
Germanio de alta pureza para óptica infrarroja, detectores de radiación y fibra óptica.
Arseniuro de Galio
Semiconductor compuesto para aplicaciones 5G RF, LED y fotovoltaicas.
Carburo de silicio (SiC)
Material de banda ancha para electrónica de potencia de VE y dispositivos de alta temperatura.
¿Listo para escalar su producción de cristales?
Nuestro equipo de ingeniería tiene más de 20 años de experiencia en el crecimiento de cristales semiconductores.
Obtenga una recomendación de horno personalizada basada en su material, volumen de producción y objetivos de calidad. Consulta gratuita incluida.
20+
Años de Experiencia
500+
Hornos Instalados
24/7
Asistencia técnica
99.5%
Satisfacción del Cliente