Почему выбрать нашу печь для выращивания кристаллов?
200–300 мм
Диаметр пластины
2.0 мм/мин
Макс. скорость вытягивания
250 ч+
Срок службы тигля
~50%
Энергосбережение
Выберите ваше решение для выращивания кристаллов
Масштабируемые платформы печей, созданные для всего, от научно-исследовательских лабораторий до высокопроизводительного производства уровня Tier-1.
- Метод: Непрерывный Чохральский (CCz) / H-MCZ
- Максимальная емкость: 1000 кг (настраиваемая)
- Максимальный диаметр: 300 мм / 12 дюймов
- Однородность: < 6.0% Удельное сопротивление (RRG)
- Метод: Непрерывный Чохральский (CCz) / H-MCZ
- Максимальная емкость: 1000 кг (настраиваемая)
- Максимальный диаметр: 300 мм / 12 дюймов
- Однородность: < 6.0% Удельное сопротивление (RRG)
- Технология: Непрерывный CZ (CCz) / H-MCZ
- Максимальный диаметр: 300 мм / 12 дюймов
- Идентификатор камеры: Φ1400 мм
- Контроль диаметра: ±0.05 мм
Выращиваемые нами материалы
Наша платформа печей CZ поддерживает широкий спектр полупроводниковых материалов
Кремний (Si)
Полупроводниковый кремний CZ для пластин ИС, силовых устройств и солнечных элементов.
Германий (Ge)
Высокочистый германий для инфракрасной оптики, детекторов излучения и оптоволокна.
Арсенид галлия
Полупроводниковое соединение для 5G ВЧ, светодиодных и фотоэлектрических применений.
Карбид кремния (SiC)
Материал с широкой запрещенной зоной для силовой электроники электромобилей и высокотемпературных устройств.
Ready to Scale Your Crystal Production?
Our engineering team has 20+ years of experience in semiconductor crystal growth.
Get a customized furnace recommendation based on your material, production volume, and quality targets. Free consultation included.
20+
Годы опыта
500+
Установленные печи
24/7
Техническая поддержка
99.5%
Удовлетворенность клиентов