결정 성장로

실리콘, 게르마늄용 정밀 CZ로
& 화합물 반도체

결정 성장로란 무엇인가요?

단결정 성장로 — CZ (초크랄스키) 인상기라고도 함 —는 고순도 원료에서 단결정 잉곳을 생산하는 데 사용되는 핵심 장비입니다. 이 로는 석영 도가니에서 폴리실리콘, 게르마늄 또는 화합물 반도체 원료를 녹인 다음, 씨앗 결정을 천천히 끌어올리고 회전시켜 결함 없는 단결정 덩어리를 성장시킵니다.

당사의 단결정 성장로는 200mm 및 300mm 반도체 등급 생산을 위해 설계되었으며, 현대적인 팹에서 요구하는 엄격한 비저항 균일성, 낮은 산소 함량 및 높은 처리량을 제공합니다.

게르마늄 초크랄스키 결정 성장로

왜 당사의 결정 성장로를 선택해야 할까요?

200–300 mm
웨이퍼 직경
2.0 mm/min
최대 인상 속도
250 h+
도가니 수명
~50%
에너지 절약

단결정 성장 솔루션 선택

R&D 실험실부터 Tier-1 대량 생산까지 모든 것을 위한 확장 가능한 로 플랫폼.

큐로폴러스 사파이어 결정 성장로
  • 방법: 연속 초크랄스키 (CCz) / H-MCZ
  • 최대 용량: 1000kg (맞춤 가능)
  • 최대 직경: 300 mm / 12 인치
  • 균일성: < 6.0% 비저항 (RRG)
연속 초크랄스키 결정 인상기
  • 방법: 연속 초크랄스키 (CCz) / H-MCZ
  • 최대 용량: 1000kg (맞춤 가능)
  • 최대 직경: 300 mm / 12 인치
  • 균일성: < 6.0% 비저항 (RRG)
12인치 MCZ 결정 성장 장치
  • 기술: 연속 CZ (CCz) / H-MCZ
  • 최대 직경: 300 mm / 12 인치
  • 챔버 ID: Φ1400 mm
  • 직경 제어: ±0.05 mm

인증 및 규정 준수

원활한 팹 통합을 위한 가장 엄격한 글로벌 표준을 충족하도록 설계되었습니다.

ISO 9001

ISO 9001:2015

품질 경영

RoHS 2

RoHS 2

유해 물질

CE 마크

CE 마크

EU 안전 표준

SEMI E136

SEMI E136

장비 안전

감사 준비 완료
문서

모든 로에는 완전한 FMEA 패키지, 테스트 보고서 및 재료 인증서가 함께 제공됩니다. 당사의 연중무휴 엔지니어링 팀은 원활한 현장 시운전 및 신속한 팹 통합을 보장합니다.

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Our engineering team has 20+ years of experience in semiconductor crystal growth.

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20+
경험 연수
500+
설치된 용광로
24/7
기술 지원
99.5%
고객 만족도
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