CCz-1600
반도체 등급 실리콘용 연속 초크랄스키 결정 성장 장치
CCz-1600은 연속 충전 초크랄스키 결정 성장 장치로 반도체 등급 실리콘 잉곳 생산을 위해 설계되었습니다. 자동 연속 공급 및 폐쇄 루프 고체 도핑은 더 긴 결정 성장, 더 엄격한 비저항 제어 및 킬로그램당 더 낮은 비용을 가능하게 합니다. — 로의 크기를 늘리지 않고도 가능합니다.
선택해야 하는 네 가지 이유 연속 충전.
아래의 모든 장점은 CCz-1600 플랫폼에서 생산이 입증되었으며, 사내 공정 검증 데이터로 뒷받침됩니다.
자동 연속 충전
선형 조절 가능한 공급 속도를 갖춘 자동 연속 공급 시스템. 실시간 공급 속도 변동은 ±10g/min 미만으로 유지되어 전체 결정 성장 과정 동안 일관된 용융 부피와 열 조건을 유지하기에 충분히 안정적입니다.
높은 유효 도핑 계수
폐쇄 루프 제어 기능이 있는 자동 연속 고체 도핑 시스템. 도펀트는 실리콘 충전량에 비례하여 동적으로 공급됩니다. 유효 도핑 계수는 기상 도핑보다 2~3배 높으므로 도펀트 낭비가 적고 저항 제어가 더 강력합니다.
정밀한 비저항 제어
전체 결정 길이에 걸쳐 좁은 비저항 분포를 가능하게 합니다. 도펀트 농도를 지속적인 비례 공급을 통해 안정적으로 유지함으로써, 씨앗 끝뿐만 아니라 방사형 및 축 방향 비저항 균일성을 모두 유지합니다.
더 높은 처리량, 동일한 로
도가니 크기, 로 본체 또는 고온대 치수를 확장하지 않고 처리량이 증가합니다. 연속 공급은 동일한 챔버에서 결정 성장을 연장하여 생산 효율성을 높이고 생산되는 결정 킬로그램당 비용을 절감합니다.
검증된 레시피.
실제 생산 데이터.
CCz-1600은 자체적으로 개발 및 검증된 결정 성장 레시피와 함께 제공됩니다. 이러한 결과는 시뮬레이션이 아닌 자체 결정 성장 결과에서 나옵니다.
10인치 갈륨 도핑 P형 결정
10인치 갈륨 도핑 P형 잉곳의 전체 길이 축 방향 비저항 제어. 연속 도핑은 머리부터 꼬리까지 엄격한 균일성을 유지합니다.
방사형 RRG: ＜ 6.0%
8인치 P형 도핑 N형 초저Ω
초저 비저항 8인치 인 도핑 N형 결정 — 기상 도핑이 경쟁할 수 없는 영역입니다.
방사형 RRG: ＜ 6%
기술 사양
| # | 매개변수 | 사양 |
|---|---|---|
| 01 | 전체 치수 (L × W × H) | 2000 × 2300 × 10800 mm |
| 02 | 충전 용량 | 1000 kg (맞춤 가능) |
| 03 | 도핑 시스템 | 고정밀 연속 온라인 고체 도핑, 제어 정밀도 ±0.01g |
| 04 | 메인 챔버 내부 직경 | Φ1400 mm |
| 05 | 풀 챔버 내부 직경 | Φ350 mm |
| 06 | 핫존 호환성 | 24–34″ RCZ + 32–34″ CCz; 최대 10″ 직경의 결정 |
| 07 | 가열 방식 | 저항 가열, DC 전원 공급 장치, Pmax = 150:50 kW |
| 08 | 충전 방식 | 측면 장착 연속 외부 공급 장치(1200kg) + 동적 온라인 실리콘 보충 + 도가니 내 사전 로딩 |
| 09 | 공급 속도 범위 | 20 – 600 g/min, 선형 조절 가능 |
| 10 | 공급 속도 제어 정밀도 | ≤ 500 g/hr |
| 11 | 실시간 공급 속도 변동 | ＜ ±10 g/min |
지속적인 충전의 경제성 연속 충전.
지속적인 충전은 결정 성장 방식을 바꿀 뿐만 아니라 생산 경제성도 바꿉니다. 이는 귀사의 운영에 어떤 의미를 갖는지 알려드립니다.
더 많은 결정, 동일한 공간
동일한 Φ1400mm 챔버에서 결정 실행 길이를 연장합니다. 더 큰 용광로, 더 큰 핫 존 또는 강화된 바닥에 투자할 필요가 없습니다. 처리량은 장비 크기가 아닌 실행 시간을 통해 확장됩니다.
킬로그램당 비용 절감
풀링 사이의 냉각, 재장전 및 재가열 주기를 제거합니다. 지속적인 작동은 월별 생산 용광로 시간을 늘려 생산된 결정의 킬로그램당 비용을 직접적으로 줄입니다.
더 엄격한 사양, 더 높은 수율
지속적인 도핑은 전체 잉곳에 걸쳐 저항률 균일성을 유지합니다. 첫 번째 섹션뿐만 아니라 그렇습니다. 실행당 더 많은 사용 가능한 결정은 거부되는 웨이퍼를 줄이고 다운스트림 수율을 높입니다.
RCZ + CCz 듀얼 모드
동일한 용광로에서 기존 재충전 CZ와 지속적인 충전을 모두 실행합니다. 이미 알고 있는 RCZ 레시피로 시작한 다음 원하는 속도로 지속 모드로 전환합니다.
검증된 레시피 포함
Ga 도핑 P형 및 P 도핑 N형 결정에 대한 검증된 결정 성장 레시피(초저저항 사양 포함)와 함께 제공됩니다. 이미 검증된 공정에서 시작하십시오.
풀 서비스 제공
현장 조사, 설치, 시운전, 첫 결정 자격 및 장기 소모품 공급 — 모두 한 공급업체에서 제공합니다. 용광로가 사양에 맞게 생산될 때까지 당사에서 지원합니다.
CCz-1600에 대한 일반적인 질문입니다. CCz-1600.
잉곳에서 연마된 웨이퍼까지.
결정이 성장한 후에는 절단, 슬라이싱, 랩핑 및 연마 과정을 거칩니다. 당사는 결정 풀러부터 완성된 웨이퍼까지 단일 공급업체로서 전체 다운스트림 라인을 공급합니다.
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