CCz-1600
Cristalizador Czochralski de Carga Continua para Silicio de Grado Semiconductor
El CCz-1600 es un cristalizador Czochralski de carga continua diseñado para la producción de lingotes de silicio de grado semiconductor. La alimentación continua automatizada y el dopaje sólido en bucle cerrado permiten tiradas de cristal más largas, un control de resistividad más estricto y un menor costo por kilogramo, sin aumentar el tamaño del horno.
Cuatro razones para elegir carga continua.
Cada ventaja a continuación está probada en producción en la plataforma CCz-1600, respaldada por datos de validación de procesos internos.
Carga Continua Automatizada
Sistema de alimentación continua automatizada con velocidad de alimentación linealmente ajustable. La fluctuación de la velocidad de alimentación en tiempo real se mantiene por debajo de ±10 g/min, lo suficientemente estable como para mantener un volumen de fusión y condiciones térmicas consistentes durante toda la ejecución de crecimiento del cristal.
Coeficiente de Dopado Efectivo Alto
Sistema de dopado sólido continuo automatizado con control de bucle cerrado. El dopante se alimenta dinámicamente en proporción a la carga de silicio. El coeficiente de dopado efectivo es 2-3 veces mayor que el dopado en fase gaseosa, lo que significa menos desperdicio de dopante y un control de resistividad más fuerte.
Control Preciso de la Resistividad
Permite una distribución estrecha de la resistividad en toda la longitud del cristal. La uniformidad de la resistividad radial y axial se mantiene al mantener estable la concentración de dopante a través de la alimentación proporcional continua, no solo en el extremo de la semilla.
Mayor Rendimiento, Mismo Horno
El rendimiento aumenta sin escalar el tamaño del crisol, el cuerpo del horno o las dimensiones de la zona caliente. La alimentación continua extiende la ejecución del cristal desde la misma cámara, mayor eficiencia de producción y menor costo por kilogramo de cristal producido.
Recetas validadas.
Datos de producción reales.
El CCz-1600 se envía con recetas de crecimiento de cristales desarrolladas y validadas internamente. Estos resultados provienen de nuestras propias extracciones de cristales, no de simulaciones.
Cristal tipo P dopado con Ga de 10″
Control de resistividad axial de longitud completa en un lingote tipo P dopado con galio de 10 pulgadas. El dopaje continuo mantiene una estricta uniformidad de cabeza a cola.
RRG radial: ＜ 6.0%
Ultra-Bajo-Ω tipo N dopado con fósforo de 8″
Cristal tipo N dopado con fósforo de 8 pulgadas y ultra-baja resistividad: el régimen donde el dopaje en fase gaseosa no puede competir.
RRG radial: ＜ 6%
Especificaciones Técnicas
| # | Parámetro | Especificación |
|---|---|---|
| 01 | Dimensiones generales (L × A × H) | 2000 × 2300 × 10800 mm |
| 02 | Capacidad de Carga | 1000 kg (personalizable) |
| 03 | Sistema de dopaje | Dopaje sólido continuo en línea de alta precisión, precisión de control ±0.01g |
| 04 | Diámetro interior de la cámara principal | Φ1400 mm |
| 05 | Diámetro interior de la cámara de tracción | Φ350 mm |
| 06 | Compatibilidad de la zona caliente | 24–34″ RCZ + 32–34″ CCz; cristales de hasta 10″ de diámetro |
| 07 | Método de Calentamiento | Calentamiento por resistencia, fuente de alimentación CC, Pmax = 150:50 kW |
| 08 | Método de carga | Alimentador externo continuo montado lateralmente (1200 kg) + reposición dinámica de silicio en línea + pre-carga en crisol |
| 09 | Rango de velocidad de alimentación | 20 – 600 g/min, linealmente ajustable |
| 10 | Precisión del control de la velocidad de alimentación | ≤ 500 g/hr |
| 11 | Fluctuación de la velocidad de alimentación en tiempo real | ＜ ±10 g/min |
La economía de carga continua.
La carga continua no solo cambia la forma en que cultiva cristales, sino que cambia la economía de producción. Esto es lo que significa para su operación.
Más Cristal, Misma Huella
Extienda la longitud de crecimiento del cristal desde la misma cámara de Φ1400 mm. No es necesario invertir en un horno más grande, una zona caliente más grande o un piso reforzado: el rendimiento aumenta a través del tiempo de ejecución, no del tamaño del equipo.
Menor Costo por Kilogramo
Elimine el ciclo de enfriamiento, recarga y recalentamiento entre extracciones. La operación continua significa más horas de horno productivas por mes, lo que reduce directamente el costo por kilogramo de cristal producido.
Especificación Más Estricta, Mayor Rendimiento
El dopaje continuo mantiene la uniformidad de la resistividad en todo el lingote, no solo en la primera sección. Más cristal utilizable por ciclo significa menos obleas rechazadas y un mayor rendimiento posterior.
Modo Dual RCZ + CCz
El mismo horno ejecuta tanto el CZ recargado convencional como la carga continua. Comience con recetas RCZ que ya conoce, luego transicione al modo continuo a su propio ritmo.
Recetas Probadas Incluidas
Se envía con recetas de crecimiento de cristales validadas para cristales dopados con Ga tipo P y dopados con P tipo N, incluyendo especificaciones de resistividad ultrabaja. Comience con un proceso conocido y bueno.
Entrega con Servicio Completo
Estudio del sitio, instalación, puesta en marcha, calificación del primer cristal y suministro de consumibles a largo plazo, todo de un solo proveedor. Permanecemos hasta que el horno esté produciendo según las especificaciones.
Preguntas comunes sobre el CCz-1600.
De lingote a oblea pulida.
Después de que el cristal crece, pasa por corte, rebanado, pulido y abrillantado. Suministramos la línea completa posterior: un proveedor desde el tirador de cristales hasta la oblea terminada.
Listo para discutir
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