Horno de Crecimiento de Cristales
CARTERA COMPLETA DE EQUIPOS
Equipos de Crecimiento de Cristal y Fabricación de Obleas por Etapa de Proceso
Equipo de horno de crecimiento de cristales para la fabricación de semiconductores, incluidos tiradores de cristales de silicio, sistemas de horno MCZ y hornos de crecimiento de cristales de zafiro. Esta categoría conecta la etapa de crecimiento con equipos posteriores de corte de lingotes, corte de obleas, pulido y abrillantado.
- Tecnología: CZ Continuo (CCz) / H-MCZ
- Diámetro Máximo: 300 mm / 12 pulgadas
- ID de Cámara: Φ1400 mm
- Control de Diámetro: ±0.05 mm
- Método: Czochralski (CZ)
- Diámetro Máximo: 12 pulgadas
- Capacidad de carga: 450 kg
- Control de temperatura: ±0.5 °C
- Método: Kyropoulos (KY)
- Peso del cristal: 125 ± 25 kg
- Calefacción: Calentamiento por Resistencia de Tungsteno (W)
- Ventaja principal: Ciclo corto, Bajo consumo de energía
- Método: Czochralski Continuo (CCz) / H-MCZ
- Capacidad Máxima: 1000kg (Personalizable)
- Diámetro Máximo: hasta 10 pulgadas
- Uniformidad: < 6.0% Resistividad (RRG)