SOMI2-600S Scie à fil pour tranchage de wafers ultra-minces
Le SOM2-600S est une scie multi-fils à haute vitesse, à station unique et à 2 rouleaux, conçue pour le tranchage de wafers ultra-minces. Avec des vitesses de fil atteignant 2200 m/min et une capacité d'épaisseur de tranche jusqu'à 0,3 mm, il excelle dans les applications de wafers minces de précision où la qualité de surface et la précision dimensionnelle sont critiques.
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
- Tranchage ultra-fin: Plage d'épaisseur de tranche 0,3–3 mm — idéal pour la production de wafers minces de précision
- Vitesse de fil élevée: Vitesse de fil maximale de 2200 m/min pour des coupes rapides et stables avec un minimum de contrainte de surface
- Conception à coupe inversée: La coupe inversée à station unique permet un espacement centre à centre plus serré entre les tranches
- Roues cannelées de précision: Roues cannelées de 160–180 mm de diamètre pour un contrôle fin du pas du fil
- Haute qualité de surface: Dommages subsurfaciques minimaux — réduit les exigences de rodage post-traitement
- Large compatibilité matérielle: Silicium, SiC, saphir, GaAs, germanium, céramiques piézoélectriques
- Encombrement réduit: 2450 × 2000 × 2000 mm — s'adapte aux baies de salle blanche standard
Non. | Paramètre | Spécifications |
1 | Taille Max. de la pièce (L×l×H mm) | 660 × 160 × 150 |
2 | Plage d'épaisseur de tranche (mm) | 0,3 – 3 |
3 | Diamètre de la roue cannelée (mm) | 160 – 180 |
4 | Vitesse Max. du fil (m/min) | 2200 |
5 | Dimensions de la machine L×l×H (mm) | 2450 × 2000 × 2000 |
6 | Nombre de postes | 1 (poste unique) |
7 | Mode de coupe | Inversé coupe , 2-rouleaux |
8 | Matériaux compatibles | Silicium, SiC, Saphir, GaAs, Germanium, Céramiques |
Critères | SOMI2-600S | SOM4-630D |
Épaisseur de tranche minimale | 0,3 mm | 1,5 mm |
Vitesse max. du fil | 2200 m/min | Standard |
Nombre de postes | 1 (Simple) | 2 (Double) |
Idéal pour | Tranches fines, haute précision | Haut débit, production en lot |
Application typique | R&D semi-conducteurs, fabrication de tranches fines | Aimant, production en grand lot |
GaAs et InP
Haute précision GaAs et InPdécoupe de tranches pour dispositifs RF/photoniques
Céramique piézoélectrique
Plaques minces en céramique piézoélectrique pour applications acoustiques et de capteurs
Saphir
Précision substrat de saphirdécoupe pour applications LED et optiques
Carbure de silicium
Mince tranche de SiCproduction de substrats pour dispositifs de puissance
Germanium
Qualité recherche tranche de germaniumproduction
Silicon
Ultra-mince plaquette de siliciumproduction pour dispositifs semi-conducteurs (0,3–1 mm)
Les modèles d'équipements listés sur ce site web représentent une sélection de notre gamme complète de produits. Pour chaque type de machine de découpe à fil diamanté ou d'équipement de découpe de semi-conducteurs, nous proposons tailles plus grandes, configurations personnaliséeset conceptions spécifiques à l'application basées sur les besoins du client.
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PRODUITS CONNEXES
Voir aussi : SG20 Machine de tranchage de précision (découpe ultra-fine en une seule pièce) | SOM4-630D (production en lot à double poste) | Fil diamanté pour la découpe de semi-conducteurs
Quelle est l'épaisseur maximale que la machine peut traiter pour la découpe ?
Quelle est la différence entre cette scie à fil et la scie à ruban ?
La vitesse de coupe serait similaire, mais la qualité de la surface de coupe de la scie à fil est bien meilleure et la perte de kerf est plus faible.